Меню сайта


Форма входа



Поиск


Календарь
«  Март 2012  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031


Архив записей


Наш опрос
Оцените мой сайт
Всего ответов: 25


Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0


Приветствую Вас, Гость · RSS 20.09.2019, 21:53
Главная » 2012 » Март » 13 » Samsung и Hynix анонсировали первые модули ОЗУ DDR4
21:30
Samsung и Hynix анонсировали первые модули ОЗУ DDR4
Компании Samsung и Hynix буквально на прошлой неделе показали общественности первые, разумеется, не коммерческие образцы модулей оперативной памяти DDR4.
Новинки от Samsung изготовлены на базе микросхем 30 нм архитектурой и характеризуются возможностью работать на эффективной частоте 2133 МГц при номинальном напряжении 1,2 вольта.
Компания Hynix же использовала микросхемы на базе 38 нм, при этом память работает на частоте 2400 МГц при тех же 1,2 вольта, пишет NTECH.
Обе компании рассчитывают начать массовое производство микросхем DDR4 уже в этом году, после освоения 20 нм технологических норм. Впрочем, широкомасштабное внедрение памяти, как считают аналитики, начнётся только в 2014 году.
Ищите хороший банк в Казахстане для обмена валюты? Курсы валют в банках Казахстана можете узнать на тематическом сайте в интернете.
Просмотров: 190 | Добавил: admin | Рейтинг: 0.0/0
Сайт создан в системе uCoz